[ B/I ] |
Burn-in.
°í¿Â¿¡¼ ¾î¶² ƯÁ¤ ±æÀÌÀÇ ½Ã°£(¿¹¸¦ µé¸é 83¡É,63½Ã°£)µ¿¾È ȸ·Î¸¦ µ¿ÀÛ½ÃÄÑ Ãʱ⠼ö¸í ¶Ç´Â Ãʱ⠰íÀåÀÌ ½É»çµÇ´Â ºÎǰ °Ë»çÀÇ ´Ü°è. |
[ Back Flow Effect (¹è·ù È¿°ú) ] |
Nematic»ó¿¡ ´ëÇÑ ¹èÇâ º¤ÅͰ¡ ½Ã°£ÀûÀ¸·Î º¯µ¿ÇÒ ¶§ ¾×Á¤ ºÐÀÚÀÇ È帧À» À¯±âÇÏ´Â Çö»ó. |
[ Back Grind ] |
µÞ¸é ¿¬¸¶,Wafer µÞ¸éÀÇ ºÒÇÊ¿äÇÑ µÎ²²¸¦ °¥¾Æ ³»´Â °ÍÀ» ¸»Çϸç,ÀÌ´Â Fab. °øÁ¤ÀÌ ¿Ï·áµÈ ÈÄ ÇàÇØÁö´Â °øÁ¤ |
[ Back light Test ] |
Through Hole ³»ºÎº®¸é¿¡¼ÀÇ µµ±Ý¼øÈ¯À» CheckÇϱâ À§ÇÑ ¹æ¹ý,Cross Section SampleÀÇ ÇϺο¡ ÀÇÇØ ºûÀ» ¹Þ¾Æ Hole³»ºÎÀÇ ºûÀÌ Åõ°ú·®¿¡ µû¶ó ¼øÈ¯ ºñ±³ÇÏ´Â Test. |
[ Back Panel ] |
Fab. Line¿¡¼ Bay°£ ¶Ç´Â Room°£ Â÷´Üº®À¸·Î ÁÖ·Î ¸¹ÀÌ »ç¿ëµÇ´Â °ÍÀ¸·Î PVC Back PanelÀÌ ÀÖ´Ù. ÀÌ´Â °øÁ¶ÀÇ È帧À» À¯µµ½ÃŰ°Å³ª ParticleÀÇ À¯ÀÔÀ» ¸·¾Æ Roomº° ûÁ¤µµ À¯Áö¸¦ ¸ñÀûÀ¸·Îµµ »ç¿ë. |
[ Back Plane ] |
ÇÑÂÊ ¸é¿¡¼´Â SolderingÀ» ÇÏÁö ¾Ê°í Á¢¼Ó½ÃŰ´Â TerminalÀÌ ÀÖ°í ´Ù¸¥ ¸é¿¡´Â ÀÏÁ¤ºÎºÐ°£À» Àü±âÀûÀ¸·Î ¿¬°á½ÃŰ´Â ¿¬°á¼ÒÄÏÀÌ ÀÖ´Â ±â°ü |
[ Back Seal Oxide ] |
µÞ¸é ½Ç¸µ »êȸ·,Wafer³»¿¡ Æ÷ÇԵǾî ÀÖ´Â °í³óµµ ºÒ¼ø¹°¿¡ ÀÇÇÑ Out dopingÀ» °¨¼Ò½ÃŰ·Á´Â ¸ñÀûÀ¸·Î Wafer µÞ¸é¿¡ ¼ºÀå½ÃÄÑ ÁÖ´Â »êȸ·. Back Side GrindµÞ¸é ¿¬¸¶. WaferÀÇ µÞ¸éÀ» ´ÙÀ̾Ƹóµå ÈÙ·Î ¿¬¸¶½ÃŰ´Â ÀÛ¾÷À¸·Î¼ Á¶¸³ °øÁ¤À¸·Î ÀÏÁ¤ÇÑ µÎ²²ÀÇ Wafer¸¦ º¸³»±â À§ÇÑ ¸ñÀû°ú Gathering ¸ñÀûÀ» µ¿½Ã¿¡ ¼öÇàÇÔ |
[ Back Side Marking ] |
DeviceÀÇ Marking½Ã LotÀÇ Fab. Site Lot# µîÀ» ±â·ÏÇϱâ À§ÇØ Device ¹Ø¸é¿¡ Ç¥½ÃÇÏ´Â Marking |
[ Back-Annotation ] |
¹ÝµµÃ¼ ¼³°è½Ã layout ÀÛ¾÷±îÁö ¸¶Ä£ ÈÄ layout¿¡¼ ¹ß»ýµÈ ±â»ý¼ÒÀÚµé(Capacitor ¹× ÀúÇ×)ÀÇ ½ÇÁ¦°ªÀ» ÃßÃâÇÏ¿© ÀÌ °ªµéÀ» Æ÷ÇÔÇÏ¿© simulationÇÏ´Â ÀÛ¾÷. |
[ Back-Up System ] |
ÀúÀåÅÊÅ©¿¡ ÀúÀåµÈ ¾×ü»óÅÂÀÇ Áú¼Ò,»ê¼Ò µîÀÌ ±âȱ⸦ °ÅÃÄ ±âÈÇÑ ÈÄ Gas»óÅ·Π°ø±ÞµÉ ¼ö ÀÖµµ·Ï °®Ãß¾îÁø ¼³ºñ |
|