| [ N+ ] |
N형 반도체에 있어서 특히 Doner 불순물의 농도가 높은 부분이 있다는 것을 나타낼 때 N+를 사용한다. |
| [ N- ] |
N형 반도체 영역에 있어서 불순물 농도가 특히 낮은 부분을 나타낼 때 쓰인다. |
| [ N-CH Field Implant ] |
Field Region의 VT를 증가시켜 Cell과 Cell간의 절연성을 높이기 위하여 Field Oxide가 성장할 부위와 같은 종류의 ION을 주입한다. |
| [ N-Channel P형 ] |
기판에 N형 확산영역을 형성한 MOS FET에 있어서 Source, Drain 사이에 흐르는 전류의 통로인 Channel이 전자에 의해서 형성된 것을 말한다. |
| [ N-MOS ] |
MOS TR의 한 종류로서,음전하인 전자에 의해 Channel 전류가 형성되는 반도체. |
| [ N-Type ] |
반도체에서는 전기전도에 기여하는 Carrier가 전자,정공 및 그 양쪽 중 어느 것이 주체가 되는가에 따라서 세 가지 전도형으로 나뉘는데,그 중 전자가 Carrier의 주체가 되는 반도체를 n-Type 반도체라고 한다. |
| [ N-Type Silicon ] |
Negative Type Silicon
Major Carrier가 Electron이 경우를 말한다. 5가 원소들이 Si에 주입되면 여분의 Electron이 존재하게 된다. |
| [ N2 REFLOW ] |
질소 분위기 중에서의 열전달에 의한 접합방식
1. 저잔사 Solder Paste 사용에 따른 무세정화가 가능하다.(Flux성분의 열 열화,산화방지 효과가 크기 때문임)
2. 고밀도 양면실장 기판의 품질향상을 위한 Soldering이 가능 → Solder,Flux,폐판의 산화방지에 따른 수회의 Reflow 좌업71서도 Soldering성이 나빠지지 않는다. |
| [ Nail Heading ] |
다층기판의 내층회로에 있어서 Hole Drill에 의하여 회로가 퍼진 상태. |
| [ NAND ] |
논리 회로중 논리 부정 회로와 AND 논리적 회로를 하나로 만든 것. |
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