| [ E-E PROM ] |
Electrically-Erasable PROM
전기적으로 소거와 쓰기가 가능하며 전원 전압이OFF 되어도 Data가 보존된다. Parallel로 Data를 주고 받는 Intel Type과 Serial로 Data를 주고 받는 NEC Type으로 나뉜다. Tunneling을 이용하여 전기적으로 Erase와 Programming이 가능하기 때문에 사용자가 In-System 에서 정보 변경이 가능하다. 그러나 2개의 Transistor로서 1cell을 구성해야 하기 때문에 EPROM에 비하여 면적이 크고 고가이다
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| [ E-Test ] |
Electrical Test
Process된 Wafer를 passivation전 Test pattern을 사용하여 Test하는 첫 번째의 전기적 Test(i.e. Wafer mapping) |
| [ E/D MOS ] |
Enhancement-Depletion MOS
Enhancement형 MOS에 Depletion형 MOS를 부하로 한 기본 셀을 갖는 회로 |
| [ E/Post Simulation ] |
Simulation의 시행절차상에서 layout전에 estimated wire capacitance를 사용해서 실시하는 것을 Pre Simulation이라 하고,layout후에 actual wire capacitance를 사용해서 실시하는 것을 Post Simulation이라 한다 |
| [ EA ] |
Exhaust Air
공정중 장비에서 발생하는 GAS를 배출시키는 배기가스로 그 종류는 산,일반,유기,비소,가열,열 및 긴급배기 등이 있다 |
| [ EAROM ] |
Electrically Alterable ROM
EPROM의 일종으로 전기적인 자극으로 정보의 내용을 바꿀 수 있는 장치 |
| [ EBE ] |
Electron-Beam Evaporation
전자 Beam으로 증착 시키고자 하는 금속 덩어리를 녹여 금속입자를 Wafer(기판)상에 입히는 방법
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| [ EBGA ] |
Electronic Ball Grid Array
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| [ EBR ] |
Edge Bead Removal
Wafer 가장자리의 감광막을 제거시켜 particle 발생현상을 제거시켜주는 공정
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| [ ECC ] |
Error Check & Correction
ROM device의 repair에서 모든 column과 row는 각각 다르게 program되어 있어, RAM에서와 같은 Redency를 사용할 수 없다. 따라서 logic을 사용하여 프로그램된 column이나 row를 제작하여 fail된 column이나 row를 대체하는 기술. 시스템 동작시 발생되는 오류를 자동으로 체크 및 수정할 수 있는 기능을 말하며,MASK ROM 및 DRAM Module 제작시 사용됨
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